Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900-920 нм

Исследованы мощные полупроводниковые лазерные излучатели ($\lambda$ = 900-920 нм) в виде гибридных лазеров-тиристоров, представляющих собой последовательно соединенные посредством припойного контакта кристаллы тиристора и интегрированного полупроводникового лазера с тремя излучающими областями. В качестве образца для сравнения использовался монолитный лазер-тиристор с тремя излучающими областями. Выходная мощность тройного монолитно интегрированного лазера-тиристора составила $\sim$120 Вт при напряжении включения 18 В. Напряжение включения гибридного лазера-тиристора с тремя излучающими областями было равно 28 В, а выходная пиковая мощность достигала $\sim$170 Вт.

High-power hybrid semiconductor lasers-thyristors ($\lambda$ = 900 - 920 nm) consisting of thyristor crystals soldered in series with an integrated semiconductor laser with three emitting sections are studied. A monolithic laser-thyristor with three emitting sections is used as a reference sample. The output power of the triple monolithically integrated laser-thyristor is $\sim$120 W at a turn-on voltage of 18 V. The turn-on voltage of a hybrid laser-thyristor with three emitting sections is 28 V, and the peak output power reaches $\sim$170 W.