Индоевропейское языкознание и классическая филология.
Том 26.
2022.
С. 186-197
InGaAs/InGaAsP/InP heterostructures for high-power photodetectors
A UTC photodetector based on InGaAs/InGaAsP/InP heterostructures grown by MOCVD is demonstrated. A model of the band diagram of the photodetector is proposed. Energy barriers that reduce the rate of hole removal from the absorbing layer are shown. A solution to reduce these barriers and increase the holes velocity is proposed. © 2022 IEEE.
Авторы
Bragin N.N. ,
Svetogorov V.N. ,
Ryaboshtan Yu.L. ,
Marmalyuk A.A. ,
Ivanov A.V. ,
Ladugin M.A. ,
Semenov A.S.
Сборник материалов конференции
Издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Язык
Английский
Статус
Опубликовано
Год
2022
Организации
- 1 Stel'makh R&d Institute 'Polyus', Moscow, 117342, Russian Federation
- 2 Peoples Friendship University of Russia (RUDN University), Moscow, 117198, Russian Federation
Ключевые слова
InGaAs/InP; MOCVD; space charge effect; uni-traveling-carrier photodetector; UTC-PD
Поделиться
Другие записи
ВОПРОСЫ КОГНИТИВНОЙ ЛИНГВИСТИКИ.
Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина.
2022.
С. 119-128