COMPACT ECR GENERATOR OF DIRECTIONAL CHARACTERISTIC X-RAY BASED ON A COAXIAL RESONATOR Статья Balmashnov A.A., Kalashnikov A.V., Stepina S.P., Umnov A.M. Прикладная физика. 2011. С. 100-103
MODELING OF THE ECR PLASMA HEATING UNDER A RANDOMLY PULSING ELECTRIC FIELD Статья Balmashnov A.A., Stepina S.P., Umnov A.M. Прикладная физика. 2011. С. 96-99
CREATIN MECHANISM OF SPACE LOCALIZED ELECTRON PLASMA OSCILLATIONS IN CERA-V DEVICE Статья Balmashnov A.A., Chechuy D.S., Yakushin V.P. ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ. MEZHDUNARODNAYA KNIGA. Том 64. 2000. С. 1330-1334
CERA-V: MICROWAVE PLASMA STREAM SOURCE WITH VARIABLE ION ENERGY Статья Balmashnov A.A. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. AMER INST PHYSICS. Том 14. 1996. С. 471-473
PASSIVATION OF GAAS BY ATOMIC HYDROGEN FLOW PRODUCED BY THE CROSSED BEAMS METHOD Статья Balmashnov A.A., Golovanivsky K.S., Omeljanovsky E.M., Pakhomov A.V., Polyakov A.Y. Semiconductor Science and Technology. Том 5. 1990. С. 242-245
PASSIVATION OF ELECTRICALLY ACTIVE-CENTERS IN GALLIUM-ARSENIDE MAGNETIZED MICROWAVE HYDROGEN PLASMA Статья BALMASHNOV A.A., GOLOVANIVSKII K.S., KAMPS E.K., OMELIANOVSKII E.M., PAKHOMOV A.V., POLIAKOV A.J. Doklady Akademii nauk SSSR. Mezhdunarodnaya Kniga, Moscow, Russian Federation. Том 297. 1987. С. 580-584
PASSIVATION OF ELECTRIC ACTIVE-CENTERS IN GALLIUM-ARSENIDE BY HYDROGEN PLASMA-FLOW Статья BALMASHNOV A.A., GOLOVANIVSKII K.S., KAMPS E.K., OMELYANOVSKII E.M., PAKHOMOV A.V., POLYAKOV A.Y. ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. MEZHDUNARODNAYA KNIGA / Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Том 12. 1986. С. 1486-1489
CYCLOTRON HEATING OF PLASMA ELECTRONS .2. Статья BALMASHNOV A.A., GOLOVANIVSKII K.S. ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. MEZHDUNARODNAYA KNIGA / ФТИ им. А.Ф.Иоффе.. Том 45. 1975. С. 771-775
CYCLOTRON HEATING OF PLASMA ELECTRONS .1. Статья BALMASHNOV A.A., GOLOVANIVSKII K.S. ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. MEZHDUNARODNAYA KNIGA / ФТИ им. А.Ф.Иоффе.. Том 45. 1975. С. 766-770