Синтез и магнитные свойства твердых растворов In1–xGaxSbxMnx

Синтезированы твердые растворы In1 – хGaхSb (х = 0.05, 0.1, 0.5, 0.9, 0.95), легированные марганцем. Установлено, что в образцах состава In0.95Ga0.05Sb〈Mn〉 и In0.05Ga0.95Sb〈Mn〉 образуется однородный твердый раствор замещения с внедренными марганецсодержащими кластерами, которые располагаются в основном на дефектах кристаллической решетки – на межзеренных границах и дислокациях. Ферромагнитные свойства полученных образцов при комнатной температуре и выше обусловлены кластерами Mn1 + xSb, эффективный размер которых составляет порядка 180–300 нм.

Synthesis and magnetic properties of solid solutions In1–xGaxSb〈Mn〉

Manganese-doped solid solutions In1–x Ga x Sb (x = 0.05, 0.1, 0.5, 0.9, 0.95) were synthesized. It was found that, in samples of the compositions In0.95Ga0.05Sb〈Mn〉 and In0.05Ga0.95Sb〈Mn〉, a homogeneous substitutional solid solution forms, into which manganese-containing clusters are incorporated. The clusters are mainly located at crystal lattice defects—grain boundaries and dislocations. The ferromagnetic properties of the obtained samples at room temperature and higher are caused by clusters Mn1+x Sb, the effective size of which is about 180–300 nm.