Class of tunable wide band gap semiconductors γ- (Ge_x Si_1-x) 3 N₄

Chang W.C., Oshuev D.S., Wang C.W., Wang S.C., Miyabe M., Imai K., Niiyama M., Nakano T., Ahn D.S., Ejiri H., Fujiwara M., Hasegawa S., Horie K., Hotta T., Kato Y., Kino K., Kohri H., Matsuoka N., Mibe T., Muramatsu N., Sumihama M., Yorita T., Yosoi M., Ahn J.K., Akimune H., Yonehara K., Asano Y., Daté S., Kumagai N., Ohashi Y., Ohkuma H., Toyokawa H., Fujimura H., Ishikawa T., Shimizu H., Fukui S., Hicks K., Iwata T., Kawai H., Ooba T., Shiino Y., Makino S., Matsuda T., Toi Y., Matsumura T., Miyachi M., Nomachi M., Sakaguchi A., Sugaya Y., Rangacharyulu C., Shagin P.M., Uchida M., Wakai A., Yoshimura M., Zegers R.G.T.

Tan T.H., Pranavan G., Yip D., Haxhimolla H.Z.