Моделирование электронной структуры соединений Hg-IV-V₂

В рамках теории функционала плотности изучены изоэлектронные ряды кристаллов Hg-IV-V₂ (IV = C, Si, Ge, Sn; V = N, P, As, Sb) с решеткой халькопирита и определены параметры их кристаллической структуры. Впервые с помощью кода CRYSTAL в приближении обобщенных градиентов электронной плотности (GGA) получены энергетические зонные спектры, карты распределения деформационной плотности заряда валентных электронов, выявлены рядовые зависимости.

Isoelectronic series of Hg-IV-V₂ (IV = C, Si, Ge, Sn; V = N, P, As, Sb) crystals with chalcopyrite lattice are studied and their crystal structure parameters are determined using density functional theory. The energy band spectra and deformation density maps of valence electrons are first obtained and serial dependences are revealed for the first time in the generalized gradient approximation (GGA) using the CRYSTAL code.