Electronic structure of spinel-type nitride compounds Si3N 4, Ge3N4, and Sn3N4 with tunable band gaps: Application to light emitting diodes

Авторы
Boyko T.D. 1 , Hunt A. 1 , Moewes A. 1 , Zerr A. 2
Журнал
Physical Review Letters
Номер выпуска
9
Язык
Английский
Страницы
097402
Статус
Опубликовано
Том
111
Год
2013
Организации
  • 1 Department of Physics and Engineering Physics|University of Saskatchewan
  • 2 LSPM-CNRS|Université Paris-Nord
Цитировать
ГОСТ MLA RIS BibTex
Поделиться

Другие записи

ПРЕДИСЛОВИЕ

Статья
Петров В.Б., Филатова О.В.
1150 лет российской государственности. 2013. С. 3-4