Взаимодействие мировых цивилизаций: история и современность.
Российский университет дружбы народов (РУДН).
2013.
С. 88-96
Electronic structure of spinel-type nitride compounds Si3N 4, Ge3N4, and Sn3N4 with tunable band gaps: Application to light emitting diodes
Авторы
Журнал
Номер выпуска
9
Язык
Английский
Страницы
097402
Статус
Опубликовано
Том
111
Год
2013
Организации
- 1 Department of Physics and Engineering Physics|University of Saskatchewan
- 2 LSPM-CNRS|Université Paris-Nord
Дата создания
09.07.2024
Дата изменения
09.07.2024
Поделиться
Другие записи
ПРЕДИСЛОВИЕ
Статья
1150 лет российской государственности.
Российский университет дружбы народов (РУДН).
2013.
С. 3-4