СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК Cu₂S МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ГАЗООБРАЗНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СЕРЫ НА МЕДНОЙ ПОДЛОЖКЕ В ГИДРОТЕРМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ

Предложен способ синтеза тонких пленок сульфида меди I (Cu₂S) методом осаждения газообразных соединений серы на медной подложке при десульфуризации природного угля в гидротермальных условиях. Тонкие пленки Cu₂S, толщиной 0.1 мм и средним размером зерен 10-20 мкм, имеют удельное электрическое сопротивление р = 0.92 Q см (Т = 300) и характеризуются шириной запрещенной зоны E_g = 1.91 эВ. Анализ шероховатости профиля поверхности пленки Cu₂S показал, что среднее арифметическое значение отклонения профиля в пределах базовой длины R_a = 2.46 мкм.

Thin films of copper(I) sulfide (Cu2S) are synthesized on a copper substrate by exposing it to vapor-phase sulfur-containing products resulting from the hydrothermal desulfurization of brown coal. The synthesized 0.1-mm-thick films have grain sizes in the range of 10‒20 μm, electrical resistivity ρ = 0.92 Ω cm at T = 300 K, and bang gap Eg = 1.91 eV. The roughness of the films, in terms of the arithmetic mean deviation of the assessed profile, is R a = 2.46 μm.