Post-annealing effect on the electronic structure of Mn atoms in Ga <sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>As probed by resonant inelastic x-ray scattering

Авторы

Chang G.S. ¹ , Pedersen T.M. ¹ , Moewes A. ¹ , Kurmaev E.Z. ² , Finkelstein L.D. ² , Choi H.K. ³ , Lee W.O. ³ , Park Y.D. ³

Журнал

Номер выпуска

Язык

Английский

Страницы

076215

Статус

Опубликовано

Том

Год

2007

Организации

Цитировать

Статья

Kartashkin V.A., Abashidze A.Kh.

International Journal on Minority and Group Rights. Том 10. 2003. С. 203-220

Статья

Nikolaev N., Shevchenko V.V.

Optical and Quantum Electronics. Том 39. 2007. С. 891-902

Post-annealing effect on the electronic structure of Mn atoms in Ga 1-xMnxAs probed by resonant inelastic x-ray scattering