НИЗКОВОЛЬТНЫЕ ТОКОВЫЕ КЛЮЧИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ТИРИСТОРОВ AL-IN-GA-AS-P/INP ДЛЯ ИМПУЛЬСНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ (1.5 МКМ) НАНОСЕКУНДНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ СтатьяПодоскин А.А., Шушканов И.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Багаев Т.А., Светогоров В.Н., Яроцкая И.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А.Физика и техника полупроводников. Том 58. 2024. С. 161-164
РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ В ЧИСТОМ GE В КВАНТОВОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА СтатьяБанная В.Ф., Никитина Е.В.Физика и техника полупроводников. Том 54. 2020. С. 221-223
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРОБОЙ В ЧИСТОМ N- И P-SI СтатьяБанная В.Ф., Никитина Е.В.Физика и техника полупроводников. Том 52. 2018. С. 291-294
ВЕСТНИК ПЕРМСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ: ПОЛИТОЛОГИЯ ЖурналФедеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Пермский государственный национальный исследовательский университет.
ВОЗДЕЙСТВИЕ ВНЕШНИХ ПОЛЕЙ НА СЕЙСМИЧЕСКИЙ РЕЖИМ И МОНИТОРИНГ ИХ ПРОЯВЛЕНИЙ Сборник материалов конференцииВоздействие внешних полей на сейсмический режим и мониторинг их проявлений. НС РАН. 2018.