Структурные особенности простых и сложных оксидов в системе In-Ga-Zn-Sn-O

Выполнены исследования процессов формирования функциональных прозрачных cлоев на основе оксидных систем Zn-Sn-O и In-Ga-Zn-Sn-O. Изучено влияние легирования оловом на аморфизацию простых и многокомпонентных функциональных оксидов прозрачной электроники.

STRUCTURAL FEATURES OF SIMPLE AND COMPLEX OXIDES IN THE In-Ga-Zn-Sn-O SYSTEM

The processes of formation of functional transparent layers based on oxide systems Zn-Sn-O and In-Ga-Zn-Sn-O have been studied. The performed studies of the effect of Sn addition on the amorphization of ZnO thin films, as well as films based on a more complex In-Ga-Zn-O system, are of interest for the further development of transparent electronics.

Authors
Abduev A.Kh. 1 , Akhmedov A.K. , Murliev E.K. , Asvarov A.Sh.
Publisher
Общество с ограниченной ответственностью "Электровакуумные технологии"
Language
Russian
Pages
108-113
Status
Published
Year
2022
Organizations
  • 1 Российский университет дружбы народов
  • 2 Институт физики, Дагестанский федеральный исследовательский центр РАН
Keywords
simple and complex oxides; transparent layers; amorphization; простые и сложные оксиды; прозрачные слои; аморфизация
Date of creation
28.12.2023
Date of change
28.12.2023
Short link
https://repository.rudn.ru/en/records/article/record/98343/
Share

Other records