Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al-In-Ga-As-P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности

Рассмотрены токовые ключи на основе InP/AlInGaAs/InGaAsP-гетероструктур тиристорного типа, предназначенные для создания импульсных лазерных излучателей наносекундных длительностей на длину волны 1400-1600 нм. Для образцов токовых ключей с размером анодного контакта 200x250 мкм и двумя управляющими контактами 200x250 мкм продемонстрированы возможности получения токовых импульсов длительностью 3-5 нс и амплитудой до 6-8 А при напряжении питания 16 В. Частота повторения импульсов достигала 100 кГц.

The study examines current switches based on InP thyristors designed for pulsed 1400-1600nm laser emitters. The heterostructure of the switch includes an InP transistor section and an upper InP/AlInGaAs/InGaAsP heterodiode, simulating a laser heterostructure. For switch samples with an anode contact size of 200x250μm and two control contacts of 200x250μm, the ability to generate current pulses with durations of 3-5ns and amplitudes exceeding 6-8A at a supply voltage of 16V was demonstrated. The pulse repetition frequency reached 100kHz.