Методом РФА высокой точности исследованы образцы, вырезанные из закаленного слитка полупроводникового соединения InSb. Определено, что вследствие геометрических особенностей отвода тепла при закалке верхняя часть и середина слитка являются текстурой [110], в то время как нижняя часть поликристаллом. Плоскость текстуры совпадает с характерными для полупроводниковых соединений AIIIBV плоскостями преимущественного раскалывания (110), существование которых объясняют скоплением в них дислокаций. Образующиеся при этом характерные микротрещины, усеянные дислокационными выходами на поверхность шлифов, наблюдаются в микроструктурах закаленного слитка InSb. Увеличение структурных параметров шлифов закаленного InSb связывается с наличием в закаленном слитке высокой плотности дислокаций.