Методы контроля толщины эпитаксиального слоя кремния

Цель. Обзор разрушающих и неразрушающих методов контроля толщины эпитаксиального слоя кремния (Si). Определение параметров тонкой плёнки является важной задачей для физики конденсированного состояния. Приведены современные способы контроля, такие как сферический шлиф, эллипсометрия и ИК-Фурье спектрометрия, слабо представленные в научной литературе. Процедура и методы. Проанализирован практический опыт и изложены основные результаты. Результаты. Обобщены основные подходы к определению толщины эпитаксиальных слоёв. Теоретическая значимость заключается в углублённом рассмотрении метода определения толщины эпитаксиальной плёнки Si и глубины залегания p-n перехода сферическим шлифом.

Aim. Review of destructive and non-destructive methods for controlling the thickness of the epitaxial silicon layer (Si). The determination of thin film parameters is an important problem for condensed matter physics. Modern methods of control, such as spherical slot, ellipsometry and IR-Fourier spectrometry, which are poorly represented in the scientific literature, are given. Methodology. Practical experience is analyzed and the main results are presented. Results. The main approaches to determining the thickness of epitaxial layers are summarized. Research implications. A method for determining the thickness of the Si epitaxial film and the depth of the p-n junction with a spherical strip is considered in depth.