УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ПРОВОДЯЩЕЙ ПОВЕРХНОСТИ

Изобретение относится к области оптической контрольно-измерительной техники и может быть использовано для исследования тонких пленок и переходных слоев на плоских подложках, способных направлять поверхностные электромагнитные волны (ПЭВ), а также для контроля состояния таких подложек и изучения быстропротекающих процессов на поверхности проводников и полупроводников.Сущность изобретения заключается в том, что в устройство для исследования проводящей поверхности методом эллипсометрической микроскопии, выполняемой в условиях поверхностного плазменного резонанса, содержащем источник p-поляризованного монохроматического излучения, коллиматор, светоделительную пластинку, прозрачную трехгранную призму, выполненную из материала оптически более плотного, чем окружающая среда, и одна грань которой расположена параллельно плоской поверхности образца, матричное ФПУ и устройство обработки и накопления информации, дополнительно введена голографическая пластинка, установленная по ходу опорного пучка в области его пересечения с предметным пучком за светоделительной пластинкой и служащая для записи интерферограмм, образованных в результате интерференции поименованных пучков, до и после формирования переходного слоя, а также - для восстановления обоих предметных пучков, записанных до и после формирования слоя, при освещении пластинки опорным пучком. В результате появляется возможность регистрировать вариации амплитуды и фазы зондирующего излучения, отраженного определенной точкой поверхности образца, в одной точке пространства, а для количественной оценки этих вариаций использовать известный мето?