СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ОДНОРОДНОГО НАНОСЛОЯ В ИНФРАКРАСНОМ ИЗЛУЧЕНИИ

Способ включает нанесение слоя на подложку, способную направлять поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), воздействие зондирующим излучением на подложку, преобразование излучения в ПЭВ, регистрацию изменений ПЭВ в результате пробега ей макроскопического расстояния ?х, расчет толщины слоя по результатам измерений и значениям оптических постоянных вещества слоя и материала подложки. ПЭВ преобразуют в объемную волну, совмещают пучок зондирующего излучения и объемную волну, регистрируют результирующую интенсивность интерферирующих волн до и после пробега ПЭВ расстояния ?х и рассчитывают толщину нанослоя с учетом приращения фазы ПЭВ на расстоянии ?х. Технический результат изобретения заключается в повышении точности определения толщины однородного нанослоя в ИК-излучении. 2 ил.

Авторы
Никитин Алексей Константинович (RU)
Номер заявки
2012106057/28
Дата заявки
21.02.2012
Номер патента
RU 2470257 C1
Дата регистрации
20.12.2012
База данных
Рефераты российских изобретений
Тип
Не указан
Язык
Русский
Статус
Действует
IPC
G01B11/06
Патентообладатели
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Организации
  • 1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Цитировать
Поделиться

Другие патенты