СПОСОБ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ТОНКОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА В ИНФРАКРАСНОМ ДИАПАЗОНЕ

Изобретение относится к оптическим методам исследования тонких слоев на поверхности металлов и полупроводников, а именно к инфракрасной (ИК) спектроскопии диэлектрической проницаемости. Способ диэлектрической спектроскопии включает воздействие на слой зондирующим излучением, для которого материал тела имеет известную диэлектрическую проницаемость с отрицательной действительной частью, преобразование излучения в поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), измерение интенсивности поля ПЭВ после пробега ею различных макроскопических расстояний, определение комплексного показателя преломления ПЭВ по результатам измерений и известной толщине слоя, расчет диэлектрической проницаемости материала слоя путем решения дисперсионного уравнения ПЭВ для волноведущей структуры, содержащей поверхность и слой. Излучение выбирают имеющим сплошной или дискретный спектр, преобразуют его в набор ПЭВ, частоты которых равны частотам компонент излучения. Изобретение позволяет расширить частотный диапазон и сократить время измерений. 2 ил.

Авторы
Номер заявки
2010115958/28
Дата заявки
22.04.2010
Номер патента
RU 2432579 C1
Дата регистрации
27.10.2011
Страна
Россия
База данных
Рефераты российских изобретений
Тип
Изобретение
Язык
Русский
Статус
Действует
IPC
G01J3/42
Патентообладатели
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Организации
  • 1 Российский университет дружбы народов
Дата создания
11.07.2024
Дата изменения
24.10.2024
Постоянная ссылка
https://repository.rudn.ru/ru/records/patent/record/155463/
Поделиться

Другие патенты