Изобретение относится к бесконтактным исследованиям поверхности металлов и полупроводников оптическими методами. Устройство содержит плавно перестраиваемый по частоте источник лазерного излучения, твердотельный образец с плоской поверхностью и исследуемым слоем на ней, элемент преобразования объемного излучения (ОИ) в поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ) и обратно, фотоприемное устройство, преобразующее ОИ в электрический сигнал, и блок обработки результатов измерений. Элемент преобразования ОИ в ПЭВ и обратно выполнен как одно целое в виде прозрачной плоскопараллельной пластины со скошенным торцом. Пластина своей гранью, обращенной к образцу, расположена в поле ПЭВ параллельно поверхности образца на расстоянии от нее не меньше 10?, где ? - длина волны излучения в вакууме, и имеет длину вдоль трека ПЭВ не менее длины распространения ПЭВ. Фотоприемное устройство выполнено в виде линейки фотодетекторов и размещено на верхней грани пластины. Техническим результатом является сокращение времени измерений и создание возможности для согласования длины распространения ПЭВ с размером поверхности образца. 2 ил.