Светодиодный холоэллипсометр с бинарной модуляцией поляризации рассеяния света одноосным двумерным кристаллом

Представлен холоэллипсометр почти нормального рассеяния света оптически одно-осным кристаллом с использованием бинарной модуляции поляризации света. Он актуален для топометрических систем, широко используемых в нанотехнологиях и медицине. Получены основные уравнения холоэллипсометрии нормального рассеяния света.

Light-Diode Holoellipsometer with Binary Modulation of Polarization Employing Light Scattering from Uniaxial Bi-Dimension Crystal

A holoellipsometer with binary modulation of polarization employing almost normal light scattering by the sample representing itself an optically uniaxial crystal is presented. The device is actual for the tomometric tools which are widely used in nanotechnologies and medicine. The main equations of the holoellipsometry employing normal light scattering method are obtained.

Авторы
Али М.2 , Кирьянов А.П.3 , Ковалёв В.И.4 , Кваша И.В. 1
Издательство
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Российский университет дружбы народов (РУДН)
Номер выпуска
2
Язык
Английский
Страницы
201-209
Статус
Опубликовано
Год
2013
Организации
  • 1 Российский университет дружбы народов
  • 2 Национальный исследовательский университет МГТУ им. Н.Э. Баумана
  • 3 Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН
  • 4 Филиал Института электроники и радиотехники им. В.А. Котельникова РАН
Ключевые слова
ellipsometry; light scattering; polarization; uniaxial bi-dimensional crystals; холоэллипсометрия; рассеяние света; поляризация; одноосные кристаллы; холоэллипсометрия; рассеяние света; поляризация; одноосные кристаллы
Цитировать
Поделиться

Другие записи

Герасимов В.В., Князев Б.А., Никитин А.К., Никитин В.В., Рыжова Т.А.
Вестник Российского университета дружбы народов. Серия: Математика, информатика, физика. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Российский университет дружбы народов (РУДН). 2013. С. 191-200