Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP

Номер выпуска
9
Язык
Русский
Страницы
963-967
Статус
Опубликовано
Том
50
Год
2014
Организации
  • 1 Росcийский университет дружбы народов
Цитировать
Поделиться

Другие записи

Овсянников Д.Ю., Беляшова М.А., Нароган М.В., Дегтярев Д.Н., Степанов А.В., Крушельницкий А.А., Бойцова Е.В., Ворона Л.Д., Дегтярева Е.А.
Неонатология: новости, мнения, обучение. Общество с ограниченной ответственностью Издательская группа ГЭОТАР-Медиа. 2014. С. 59-66