ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ В СОВРЕМЕННОЙ НАУКЕ.
Ассоциация научных сотрудников "Сибирская академическая книга".
2023.
С. 73-78
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ GaN
В статье рассматриваются два основных метода выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия. Разобраны этапы получения пленок из GaN, который является ключевым материалом для современной СВЧ электроники.
Авторы
Сборник материалов конференции
Язык
Русский
Страницы
20-21
Статус
Опубликовано
Год
2023
Организации
- 1 Российский университет дружбы народов
Ключевые слова
GaN; МОС-гидридная эпитаксия; молекулярно-лучевая эпитаксия
Поделиться
Другие записи
НАУКА И ТЕХНОЛОГИИ: ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ.
Международный центр научного партнерства «Новая Наука» (ИП Ивановская И.И.).
2023.
С. 205-211