Высокие технологии и инновации в науке.
ГНИИ «Нацразвитие».
2022.
С. 19-23
В статье описаны основные проблемы, которые присуще светодиодам с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN, а также их влияние на эффективность излучательных приборов.
The article describes the main problems inherent in LEDs with multiple GaN/InGaN quantum wells, as well as their impact on the efficiency of emitting devices.