ПРОБЛЕМЫ, СУЩЕСТВУЮЩИЕ В СВЕТОДИОДАХ GAN/INGAN

В статье описаны основные проблемы, которые присуще светодиодам с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN, а также их влияние на эффективность излучательных приборов.

ISSUES WITH GAN/INGAN LEDS

The article describes the main problems inherent in LEDs with multiple GaN/InGaN quantum wells, as well as their impact on the efficiency of emitting devices.

Авторы
Сборник материалов конференции
Издательство
ГНИИ «Нацразвитие»
Язык
Русский
Страницы
98-100
Статус
Опубликовано
Год
2022
Организации
  • 1 Российский университет дружбы народов
Ключевые слова
InGaN; LEDs; quantum wells; LED efficiency; светодиоды; квантовые ямы; эффективность светодио-дов
Дата создания
11.07.2024
Дата изменения
11.07.2024
Постоянная ссылка
https://repository.rudn.ru/ru/records/article/record/154547/
Поделиться

Другие записи

Ахтямов С.Н., Горфинкель О.И., Жукова И.К., Карпухина А.С., Мелконов В.Ю., Мелконов Ю.В., Моргунов Л.Ю., Ованесова О.А., Радецкая Л.И., Радецкая С.М., Степанкин С.Н., Труфанов В.Д., Степанкина Е.С., Сыпачева Л.А., Хабаров В.Н.
Общество с ограниченной ответственностью Издательская группа ГЭОТАР-Медиа. 2022.