ПРОБЛЕМЫ, СУЩЕСТВУЮЩИЕ В СВЕТОДИОДАХ GAN/INGAN

В статье описаны основные проблемы, которые присуще светодиодам с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN, а также их влияние на эффективность излучательных приборов.

ISSUES WITH GAN/INGAN LEDS

The article describes the main problems inherent in LEDs with multiple GaN/InGaN quantum wells, as well as their impact on the efficiency of emitting devices.

Авторы
Захарова Т.И. 1
Сборник материалов конференции
Высокие технологии и инновации в науке
Издательство
ГНИИ «Нацразвитие»
Язык
Русский
Страницы
98-100
Статус
Опубликовано
Год
2022
Организации
  • 1 Российский университет дружбы народов
Ключевые слова
InGaN; LEDs; quantum wells; LED efficiency; светодиоды; квантовые ямы; эффективность светодио-дов
Цитировать
ГОСТ MLA RIS BibTex
Поделиться

Другие записи

ПАТОЛОГИЧЕСКИЕ РУБЦЫ. ЭТИОЛОГИЯ, ПРОФИЛАКТИКА И ЛЕЧЕНИЕ

Монография
Ахтямов С.Н., Горфинкель О.И., Жукова И.К., Карпухина А.С., Мелконов В.Ю., Мелконов Ю.В., Моргунов Л.Ю., Ованесова О.А., Радецкая Л.И., Радецкая С.М., Степанкин С.Н., Труфанов В.Д., Степанкина Е.С., Сыпачева Л.А., Хабаров В.Н.
Общество с ограниченной ответственностью Издательская группа ГЭОТАР-Медиа. 2022.