Высшее образование в России.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет".
2017.
С. 156-168
Синтезированы твердые растворы In1 – хGaхSb (х = 0.05, 0.1, 0.5, 0.9, 0.95), легированные марганцем. Установлено, что в образцах состава In0.95Ga0.05Sb〈Mn〉 и In0.05Ga0.95Sb〈Mn〉 образуется однородный твердый раствор замещения с внедренными марганецсодержащими кластерами, которые располагаются в основном на дефектах кристаллической решетки – на межзеренных границах и дислокациях. Ферромагнитные свойства полученных образцов при комнатной температуре и выше обусловлены кластерами Mn1 + xSb, эффективный размер которых составляет порядка 180–300 нм.