Старение интегральных микросхем при длительном низкоинтенсивном облучении гамма-лучами

Представлены экспериментальные данные и дается прогноз изменения плотности поверхностных дефектов при разных мощностях дозы ионизирующего излучения.

Авторы
Издательство
РУДН
Язык
Русский
Страницы
468-471
Статус
Опубликовано
Год
2015
Организации
  • 1 Российский университет дружбы народов
Цитировать
Поделиться

Другие записи