КОНЦЕПЦИЯ ПРИМЕСНОГО ДИСЛОКАЦИОННОГО МАГНЕТИЗМА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ A^IIIB^V

Свойство дислокаций притягивать к себе атомы примеси рассмотрено с точки зрения возможности формирования линейно протяженных магнитных структур в диамагнитных матрицах полупроводниковых соединений A^IIIB^V, легированных d-элементами. Для понимания возможных механизмов формирования и ожидаемых свойств таких структур проанализирован целый ряд экспериментальных работ, направленных на исследование особенностей преципитации атомов магнитно-неактивных элементов на краевых дислокациях в металлах и полупроводниках. Выявленные закономерности использованы при анализе свойств магнитно-активных атомов, локализованных вокруг дислокаций. Рассмотрена возможность создания принципиально новых магнитных полупроводников, в которых ячейками магнитной памяти служат дислокации, легированные d-элементами. Направление исследований, изложенное в работе, определено как концепция примесного дислокационного магнетизма в полупроводниковых соединениях A^IIIB^V.