Annealing effect on the electronic structure and magnetic properties of Mn-doped ZnO films

Авторы
Jin J.1, 2 , Zhang X.Y.2 , Zhou Y.X.2 , Chang G.S. 3
Журнал
Semiconductor Science and Technology
Номер выпуска
3
Язык
Английский
Страницы
035012
Статус
Опубликовано
Том
27
Год
2012
Организации
  • 1 School of Material Science and Engineering|Shanghai University
  • 2 Department of Physics|Synchrotron Radiation Research Center|Fudan University
  • 3 Department of Physics and Engineering Physics|University of Saskatchewan
Дата создания
08.07.2024
Дата изменения
08.07.2024
Постоянная ссылка
https://repository.rudn.ru/ru/records/article/record/131311/
Поделиться

Другие записи