The origin of the resistance change in GeSbTe films

Авторы
Jang M.H.1 , Cho M.H.1, 2 , Park S.J.2 , Kurmaev E.Z.3 , Finkelstein L.D.3 , Chang G.S. 4
Журнал
Applied Physics Letters
Издательство
American Institute of Physics
Номер выпуска
15
Язык
Английский
Страницы
152113-3
Статус
Опубликовано
Том
97
Год
2010
Организации
  • 1 Atomic-scale Surface Science Research Institute|Yonsei University
  • 2 Institute of Physics and Applied Physics|Yonsei University
  • 3 Ural Division|Institute of Metal Physics|Russian Academy of Sciences
  • 4 Department of Physics and Engineering Physics|University of Saskatchewan
Цитировать
ГОСТ MLA RIS BibTex
Поделиться

Другие записи