Планарный волновод среднего ИК диапазона с несущим слоем из халькогенидного стекла

Исследован планарный волновод в виде несущего слоя из халькогенидного стекла системы As–Se на подложке из монокристаллического фтористого бария (λ = 10,6 мкм). Измерен показатель преломления несущего слоя. Приведена методика измерения коэффициента затухания, который в исследованном волноводе для основной волны типа TE0 составлял 3 дБ/см.

PLANAR WAVEGUIDE FOR MEDIUM IR RANGE WITH CARRYING LAYER OF CHALCOGENIDE GLASS

Авторы
BESSONOV A.F. , GUDZENKO A.I. , DERYUGIN L.N. , KOMOTSKY V.A. , POGOSOV G.A. , SOTIN V.E. , TERICHEV V.F.
Издательство
LEBEDEV PHYSICAL INST KVANTOVAYA ELEKTRONIKA JOURNAL / Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Номер выпуска
10
Язык
Русский
Страницы
2289-2290
Статус
Опубликовано
Том
3
Год
1976
Организации
  • 1 Российский университет дружбы народов
Ключевые слова
краткие сообщения
Дата создания
19.10.2018
Дата изменения
10.03.2019
Постоянная ссылка
https://repository.rudn.ru/ru/records/article/record/11321/
Поделиться

Другие записи

KUZALI A.S., CHEKAN A.V.
Квантовая электроника. LEBEDEV PHYSICAL INST KVANTOVAYA ELEKTRONIKA JOURNAL / Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук. Том 3. 1976. С. 2457-2459