ЭКСИТОННАЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ В АТОМАРНО ТОНКИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

Dieser Artikel beschreibt die Herstellung und Eigenschaften von Übergangsmetalldichalkogeniden sowie die Methoden zur Registrierung von Zwischenschichtexzitonen in komplexen Strukturen. Übergangsmetall-Dichalkogeniden werden hauptsächlich durch mechanisches Peeling der Schichten mit einer weiteren Überlagerung der Schichten übereinander erhalten. Solche Schichten sind durch die schwachen Kräfte Van-der-Waals verbunden. Wenn ein Halbleiter Licht absorbiert, ist eine solche Erregung der Valenzelektronen möglich, dass sie nicht in die Leitfähigkeitszone übergehen, sondern ein gebundenes Paar mit dem Loch bilden. die Energie eines Elektrons entspricht einem bestimmten Niveau innerhalb der verbotenen Zone. Als Ergebnis der CoulombWechselwirkung des Elektronenlochs entsteht ein neues Quasiteilchen ein Exziton. Das Merkmal des Exzitons ist, dass es sich um ein Wasserstoffatom handelt, in dem ein Loch als Kern vorhanden ist und das Elektron einen der erlaubten Energieniveaus einnimmt. Das Maximum der Valenzzone und die Minima der Leitfähigkeitszone sind in verschiedenen Monoschichten in Übergangsmetall-Dichalkogeniden lokalisiert. Aufgrund der starken Coulomb-Wechselwirkung von Loch und Elektron werden verwandte Zustände gebildet, die als Interlagenexzitonen bezeichnet werden. Da Elektron und Loch räumlich getrennt sind besitzen Interlagenexzitonen eine sehr lange Lebensdauer. Das Vorhandensein einer superschnellen Ladungsübertragung zwischen den Schichten ermöglicht die Bildung supraleitender Phasen eines kondensierten Zustands. Dadurch ist es möglich, die Supraleitung bei höheren Temperaturen zu beobachten.