СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ОДНОРОДНОГО НАНОСЛОЯ В ИНФРАКРАСНОМ ИЗЛУЧЕНИИ

Способ включает нанесение слоя на подложку, способную направлять поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), воздействие зондирующим излучением на подложку, преобразование излучения в ПЭВ, регистрацию изменений ПЭВ в результате пробега ей макроскопического расстояния ?х, расчет толщины слоя по результатам измерений и значениям оптических постоянных вещества слоя и материала подложки. ПЭВ преобразуют в объемную волну, совмещают пучок зондирующего излучения и объемную волну, регистрируют результирующую интенсивность интерферирующих волн до и после пробега ПЭВ расстояния ?х и рассчитывают толщину нанослоя с учетом приращения фазы ПЭВ на расстоянии ?х. Технический результат изобретения заключается в повышении точности определения толщины однородного нанослоя в ИК-излучении. 2 ил.

Authors
Никитин Алексей Константинович (RU)
Application number
2012106057/28
Application date
21.02.2012
Patent number
RU 2470257 C1
Registration date
20.12.2012
Database
Рефераты российских изобретений
Type
Не указан
Language
Russian
Status
Active
IPC
G01B11/06
Patent holders
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Organizations
  • 1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Share

Other patents