СПОСОБ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ТОНКОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА В ИНФРАКРАСНОМ ДИАПАЗОНЕ

Изобретение относится к оптическим методам исследования тонких слоев на поверхности металлов и полупроводников, а именно к инфракрасной (ИК) спектроскопии диэлектрической проницаемости. Способ диэлектрической спектроскопии включает воздействие на слой зондирующим излучением, для которого материал тела имеет известную диэлектрическую проницаемость с отрицательной действительной частью, преобразование излучения в поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), измерение интенсивности поля ПЭВ после пробега ею различных макроскопических расстояний, определение комплексного показателя преломления ПЭВ по результатам измерений и известной толщине слоя, расчет диэлектрической проницаемости материала слоя путем решения дисперсионного уравнения ПЭВ для волноведущей структуры, содержащей поверхность и слой. Излучение выбирают имеющим сплошной или дискретный спектр, преобразуют его в набор ПЭВ, частоты которых равны частотам компонент излучения. Изобретение позволяет расширить частотный диапазон и сократить время измерений. 2 ил.

Application number
2010115958/28
Application date
22.04.2010
Patent number
RU 2432579 C1
Registration date
27.10.2011
Country
Russian Federation
Database
Рефераты российских изобретений
Type
Изобретение
Language
Russian
Status
Active
IPC
G01J3/42
Patent holders
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Organizations
  • 1 Peoples' Friendship University of Russia
Date of creation
11.07.2024
Date of change
24.10.2024
Short link
https://repository.rudn.ru/en/records/patent/record/155463/
Share

Other patents