Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда

Рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ( E) в чистом Ge в квантовом магнитном поле ( H) при ( E normal H) при низких температурах, T=4.2, 1.8 K, в условиях термовозбуждения. Показано, что в этих условиях на среднее время жизни носителей влияет зависимость от E и H коэффициента термической ионизации. Полученные результаты качественно согласуются с теорией каскадного захвата носителей на изолированные центры в скрещенных электрическом и магнитном полях. Ключевые слова: квантованность, каскадный захват, электрическое поле, постоянная Холла, магнитное поле.

Heating of electrons in pure Ge in a quantum magnetic field at thermal excitation of charge carriers

The results of an experimental study on charge carriers heating by an electric field (E) in pure Ge in a quantum magnetic field (H) at (E⊥H) at low temperatures (T=4,2;1,8 K) under thermal excitation are considered. It is shown that the dependence of E and H thermal ionization coefficient affects the average carrier lifetime under these conditions. The obtained results are in qualitative agreement with the theory of cascade capture of carriers on isolated centers in crossed electric and magnetic fields.