ПРОБЛЕМЫ, СУЩЕСТВУЮЩИЕ В СВЕТОДИОДАХ GAN/INGAN

В статье описаны основные проблемы, которые присуще светодиодам с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN, а также их влияние на эффективность излучательных приборов.

ISSUES WITH GAN/INGAN LEDS

The article describes the main problems inherent in LEDs with multiple GaN/InGaN quantum wells, as well as their impact on the efficiency of emitting devices.

Authors
Zakharova T.I. 1
Conference proceedings
Высокие технологии и инновации в науке
Publisher
ГНИИ «Нацразвитие»
Language
Russian
Pages
98-100
Status
Published
Year
2022
Organizations
  • 1 RUDN
Keywords
InGaN; LEDs; quantum wells; LED efficiency; светодиоды; квантовые ямы; эффективность светодио-дов
Date of creation
11.07.2024
Date of change
11.07.2024
Short link
https://repository.rudn.ru/en/records/article/record/154547/
Share

Other records

ПАТОЛОГИЧЕСКИЕ РУБЦЫ. ЭТИОЛОГИЯ, ПРОФИЛАКТИКА И ЛЕЧЕНИЕ

Monograph
Ахтямов С.Н., Горфинкель О.И., Жукова И.К., Карпухина А.С., Мелконов В.Ю., Мелконов Ю.В., Моргунов Л.Ю., Ованесова О.А., Радецкая Л.И., Радецкая С.М., Степанкин С.Н., Труфанов В.Д., Степанкина Е.С., Сыпачева Л.А., Хабаров В.Н.
Общество с ограниченной ответственностью Издательская группа ГЭОТАР-Медиа. 2022.