Электрический пробой в чистом n- и p-Si

Представлены результаты расчета зависимостей кинетических коэффициентов ударной ионизации и термической рекомбинации от электрического поля в чистом кремнии. По аналогии с германием рассчитаны зависимости поля электрического пробоя Ebr от степени компенсации материала K. Дано подробное обоснование правомочности такого расчета. Представлены кривые Ebr(K) и проведено сравнение с экспериментальными данными в области слабых компенсаций. Выполнена привязка к экспериментальным результатам, при которой наблюдается удовлетворительное соответствие теории и эксперимента.

Authors
Банная В.Ф.1 , Никитина Е.В. 2
Journal
Физика и техника полупроводников
Publisher
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Number of issue
3
Language
Russian
Pages
291-294
Status
Published
DOI
10.21883/FTP.2018.03.45610.8536
Volume
52
Year
2018
Organizations
  • 1 Московский педагогический государственный университет
  • 2 Российский университет дружбы народов, 117198 Москва, Россия
Cite
ГОСТ MLA RIS BibTex
Share

Other records

МИГРАЦИОННАЯ ПОЛИТИКА ЕВРОПЕЙСКОГО СОЮЗА В КОНТЕКСТЕ ГЛОБАЛИЗАЦИИ

Article
Бутенко В.А.
Вестник Пермского университета. Серия: Политология. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Пермский государственный национальный исследовательский университет. 2018. P. 21-30