Планарный волновод среднего ИК диапазона с несущим слоем из халькогенидного стекла

Исследован планарный волновод в виде несущего слоя из халькогенидного стекла системы As–Se на подложке из монокристаллического фтористого бария (λ = 10,6 мкм). Измерен показатель преломления несущего слоя. Приведена методика измерения коэффициента затухания, который в исследованном волноводе для основной волны типа TE0 составлял 3 дБ/см.

PLANAR WAVEGUIDE FOR MEDIUM IR RANGE WITH CARRYING LAYER OF CHALCOGENIDE GLASS

Authors
BESSONOV A.F. , GUDZENKO A.I. , DERYUGIN L.N. , KOMOTSKY V.A. , POGOSOV G.A. , SOTIN V.E. , TERICHEV V.F.
Publisher
LEBEDEV PHYSICAL INST KVANTOVAYA ELEKTRONIKA JOURNAL / Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Number of issue
10
Language
Russian
Pages
2289-2290
Status
Published
Volume
3
Year
1976
Organizations
  • 1 Peoples' Friendship University of Russia
Keywords
краткие сообщения
Date of creation
19.10.2018
Date of change
10.03.2019
Short link
https://repository.rudn.ru/en/records/article/record/11321/
Share

Other records

KUZALI A.S., CHEKAN A.V.
KVANTOVAYA ELEKTRONIKA / Quantum Electronics. LEBEDEV PHYSICAL INST KVANTOVAYA ELEKTRONIKA JOURNAL / Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук. Vol. 3. 1976. P. 2457-2459