В работе выполняется сравнение результатов расчёта фотошаблона, применяемого для получения затворов транзисторов по технологии 90 нм. Расчет выполнен нейронными сетями с архитектурой U-Net и CycleGAN. В качестве набора данных для обучения использовались структуры, которые были сгенерированы с помощью моделей обратной литографии, применяемых в промышленном производстве. Архитектура CycleGAN продемонстрировала способность генерировать топологию, стилистически совпадающую с результатами применения ILT с опцией MRC.
The article compares the results of calculating a photomask used for the manufacture of transistor gates using 90 nm technology. The calculation is performed by neural networks with UNet and CycleGAN architecture. The training dataset used structures that were generated using inverse lithography models used in industrial manufacturing. The CycleGAN architecture has demonstrated the ability to generate topologies that stylistically match the results of ILT with the MRC option.