ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ p-(Al)GaN ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ СИНЕ-ЗЕЛЕНОЙ И БЛИЖНЕЙ УФ-ОБЛАСТЕЙ СПЕКТРА

Работа посвящена особенностям легирования атомами Mg гетероструктур на основе GaN и AlGaN. Показано, что анализ спектров фотолюминесценции таких образцов позволяет обнаружить энергетические состояния в запрещенной зоне, связанные с процессом самокомпенсации, и способствует получению качественных слоев p-типа проводимости.

FEATURES OF OBTAINING p-(Al)GaN FOR OPTOELECTRONIC DEVICES IN THE BLUE, GREEN AND NEAR UV REGIONS OF THE SPECTRUM

The work is dedicated to the features of doping with Mg atoms of heterostructures based on GaN and AlGaN. It is shown that analysis of the photoluminescence spectra of such samples makes it possible to detect energy states in the band gap associated with the self-compensation process and helps to the production of high-quality layers of p-type conductivity.