Повышение устойчивости высокочувствительных фотоприемных устройств к перегрузке оптическим сигналом

Проведен сравнительный анализ стойкости к лазерному излучению фотодиодных структур. Показана целесообразность применения германиевых фотодиодов для обеспечения повышенной стойкости фотоприемных устройств к мощной засветке. Представлены результаты исследований основных механизмов, определяющих время восстановления чувствительности фотоприемного устройства после мощной засветки. Рассмотрено схемотехническое решение, позволяющее снизить время восстановления чувствительности фотоприемного устройства после мощной засветки лазерным излучением.

Photodiode structures resistance to laser radiation analysis has been carried out. The expediency of using germanium photodiodes to provide increased resistance of photoreceiver to powerful illumination is shown. The main mechanisms that determine the recovery time of the sensitivity of a photoreceiver after intense illumination are presented. A circuit solution is considered to reduce the recovery time of the sensitivity of a photoreceivers after powerful illumination by laser radiation.