Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP

Авторы

Журнал

Номер выпуска

Язык

Русский

Страницы

963-967

Статус

Опубликовано

Том

Год

2014

Организации

Цитировать

Статья

Овсянников Д.Ю., Беляшова М.А., Нароган М.В., Дегтярев Д.Н., Степанов А.В., Крушельницкий А.А., Бойцова Е.В., Ворона Л.Д., Дегтярева Е.А.

Неонатология: новости, мнения, обучение. 2014. С. 59-66

Статья

Лобанов Н.Н., Изотов А.Д., Пашкова О.Н., Саныгин В.П.

Неорганические материалы. Том 50. 2014. С. 585-590