ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ В СОВРЕМЕННОЙ НАУКЕ. 2023. P.. 73-78
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ GaN
В статье рассматриваются два основных метода выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия. Разобраны этапы получения пленок из GaN, который является ключевым материалом для современной СВЧ электроники.
Authors
Conference proceedings
Language
Russian
Pages
20-21
State
Published
Year
2023
Organizations
- 1 Российский университет дружбы народов
Keywords
GaN; МОС-гидридная эпитаксия; молекулярно-лучевая эпитаксия
Share
Other records
НАУКА И ТЕХНОЛОГИИ: ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ. 2023. P.. 205-211