Созданы светоизлучающие модули спектрального диапазона 1.5 - 1.6 мкм на основе гетероструктуры AlGaInAs/InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами в новых уменьшенных корпусах с термостабилизацией. Проверена их работоспособность в предельных режимах эксплуатации. Изучена надежность таких модулей и устойчивость при воздействии климатических факторов.
We report the fabrication of 1.5 - 1.6 μm light-emitting modules based on an AlGaInAs/InP heterostructure with strain-compensated quantum wells in new, smaller, thermally stabilized housings. Their performance is tested under extreme operating conditions. The reliability of such modules and stability under the influence of climatic factors is studied.